米制芯片技术台积电32奈米测试芯片诞生 最快2009年量产_我的网站

米制芯片技术台积电32奈米测试芯片诞生 最快2009年量产

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台积电技术再度迈进一大步,将于11日位在美国华盛顿特区举办的国际电子元件大会(IEDM)中发表论文,宣布其第1颗32奈米制程测试芯片已正式通过内部功能验证,未来将可同时支持单芯片中数码、类比电路。外界预料,以台积电每2年发展1个制程世代的进程估算,32奈米制程芯片已具雏形,最快可在2009年实现量产。

IEDM与ISSCC、VLSI是3个国际级半导体元件年度技术论文的发表大会,每年几乎各知名学术机构、半导体业者皆以其最新、最先进半导体设计与技术参与发表论文,从中也可一窥未来半导体产业先端技术、市场发展端倪。而2007年台湾业者以台积电踊跃参加发表数篇论文参与度最为积极,其中包括45奈米制程SRAM测试芯片的发表,及其45奈米制程采高介电系数材料及金属闸极为材质生产绘图芯片(GPU)的论文,更值得注意的是,台积电已跨入32奈米低功耗制程技术。

台积电表示,这是晶圆代工制造服务领域第1个同时支持类比及数码集成电路的32奈米制程技术。此篇论文中同时指出,已成功试产出晶体管位元单元尺寸最小的2Mb 32奈米SRAM,并且通过内部功能验证。 此一低耗电制程芯片具有低待机耗电量晶体管、类比及射频功能、铜导线以及低介电系数材料导线等优势,非常适合用于生产可携式产品所需的系统单芯片。

外界预料,以台积电2007年进入45奈米制程量产时程估算,32奈米制程最快将可望在2009年投入量产,并提供多样的包括数码、类比、射频以及高密度存储器等制程光谱。值得注意的是,台积电这款32奈米制程芯片并没有采用高介电系数材料及金属闸极,换句话说,将比采用高介电系数材料及金属闸极的业者更具成本竞争力。

除了台积电高度参与,董事长张忠谋亲身赴会演讲,国际级半导体大厂包括英特尔(Intel)、IBM及三星电子(Samsung Electronics)也不惶多让,也藉由IEDM展现其技术实力。英特尔方面,主要是着重于其45奈米及32奈米制程高温下采用高介电系数材料及金属闸极技术发表、及关于相变化存储器和快闪存储器技术;IBM则着重45奈米与65奈米绝缘层上覆矽(SOI)超低漏电制程;韩国三星则发表关于40奈米存储器制程与先进半导体材料技术。


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