芯片巴克基尔存储密度更高的新闪存芯片问世_我的网站

芯片巴克基尔存储密度更高的新闪存芯片问世

点击:
缓冲器逆变器逻辑使用现有布局来省去缓冲器/逆变器的解决方案太阳能组件合同赛维LDK签署35兆瓦太阳能光伏组件供应合同元件无源战略元件业:出口结构转高端技术提升迫在眉睫日本电力家电地震致供电紧张 日本LED灯需求旺盛批评新闻线索邮箱Micronas VGC 596xB系列双通道视频及显卡控制器运算放大器电流宽泛TI推出低功耗运算放大器 实现功耗与性能的完美结合能量充电电池电池三洋将在华发售新型镍氢电池 可控自放电三星产业中国平板显示:机遇与挑战共存 创新与合作并举兆欧连接器电阻Kycon的IEEE 1394连接器具有屏蔽功能
8月18日消息,据媒体报道,英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。

新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息,存储容量高达64G位(相当于8GB)。英特尔和美光称这是它们迄今为止尺寸最小的NAND闪存芯片。

两家公司称,使用NAND闪存的数码相机和便携式媒体播放器等产品的尺寸越来越小。新型芯片还有助于降低制造成本。

两家公司已经向客户发送样品,预计将于今年底投入量产。新型NAND闪存芯片将采用25纳米工艺生产。与每单元存储2位信息的NAND芯片相比,存储容量相同的新型芯片的尺寸减少约20%。美光NAND战略营销主管凯文·基尔巴克(KevinKilbuck)说,“我们在增加存储密度的同时,能够降低制造成本,增加存储容量。”

但是,存储密度的提高是有代价的。基尔巴克说,“新型芯片写入信息的次数有所减少。”


产业深圳生产线平板显示成为支柱 国有资本应发挥积极作用奥迪系统轿车新款奥迪A8豪华轿车选用恩智浦FlexRay技术CP732 SERVOPARK ALARM三星芯片闪存三星闪存芯片被指侵权殃及八家公司调谐器电视成本Silicon Labs推出新一代电视调谐器IC用户技术性能云计算背景下的应用交付瓶颈亟待突破日本半导体厂商IHS iSuppli:日本大震冲击波9月全面退散控制器处理器定时器恩智浦新型Cortex-M4和M0双核微控制器定义数字信号控制新规则激光器功率光纤美国QPC公司推出6通道高功率光纤半导体激光器

0.30787682533264 s