沟道功耗器件Diodes推出运行温度低于大型封装器件MOSFET_我的网站

沟道功耗器件Diodes推出运行温度低于大型封装器件MOSFET

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Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积,较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间,其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W,在连续条件下功耗高达1.3W,而同类产品的功耗则多出一倍。

因此,该MOSFET的运行温度更低,并可节省空间,加上离板高度仅为0.4毫米,尤其适用于超薄便携式消费电子产品,包括平板电脑及智能手机。Diodes 率先提供额定电压为20V、30V及60V的N沟道和P沟道器件,这些器件可用于多种高可靠性的负载开关 (load switching)、信号转换 (signal switching) 及升压转换 (boost conversion) 应用。

例如,额定电压为20V的DMN2300UFB4 N沟道MOSFET的导通电阻仅为150mΩ,比同类解决方案低一半以上,有助于大幅减少传导损耗和功耗。而P沟道、20V 的DMN2300UFB4可提供类似的同类领先性能。这两款MOSFET同时具备较高的静电放电额定值 (ESD Rating),分别为2kV和3kV。

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